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1N2160R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N2160R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5

1N2160R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

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描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, PLL/Frequency Synthesis Circuit, PLL/Frequency Synthesis Circuit, PLL/Frequency Synthesis Circuit, PLL/Frequency Synthesis Circuit, PLL/Frequency Synthesis Circuit, PLL/Frequency Synthesis Circuit, Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, -/+15ppm/Cel TC, 0.0022uF, 1808, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 400V V(RRM), Silicon, DO-5
Reach Compliance Code not_compliant compli unknown unknown unknown unknown unknown unknown compliant compliant
Objectid - - 106664545 106664756 106665337 106649854 106650897 106651173 827783030 -
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