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1N23WGM

产品描述Mixer Diode, X Band to KU Band, 465ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小346KB,共8页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N23WGM概述

Mixer Diode, X Band to KU Band, 465ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N23WGM规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-23
包装说明O-CEMW-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND TO KU BAND
最大阻抗465 Ω
最小阻抗335 Ω
JEDEC-95代码DO-23
JESD-30 代码O-CEMW-N2
最大噪声指数6.5 dB
元件数量1
端子数量2
最大工作频率12 GHz
最小工作频率8 GHz
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POINT CONTACT
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1
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