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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFR1N60ATRPBF
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IRFR1N60ATRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小232KB，共10页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRFR1N60ATRPBF在线购买

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IRFR1N60ATRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

IRFR1N60ATRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明LEAD FREE, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
雪崩能效等级（Eas）93 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.4 A
最大漏极电流 (ID)1.4 A
最大漏源导通电阻7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)5.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SMPS
MOSFET
PD - 95518A
IRFR1N60APbF
IRFU1N60APbF
HEXFET
®
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
Power Factor Correction
l
Lead-Free
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
V
DSS
600V
Rds(on) max
7.0Ω
I
D
1.4A
D-Pak
IRFR1N60A
I-Pak
IRFU1N60A
Max.
1.4
0.89
5.6
36
0.28
± 30
3.8
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Applicable Off Line SMPS Topologies:
l
Low Power Single Transistor Flyback
Notes

through
…
are on page 9
www.irf.com
1
12/03/04

IRFR1N60ATRPBF相似产品对比

IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRRPBF IRFR1N60ATRLPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 LEAD FREE, DPAK-3 LEAD FREE, DPAK-3 LEAD FREE, DPAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N
雪崩能效等级（Eas） 93 mJ 93 mJ 93 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.4 A 1.4 A 1.4 A
最大漏极电流 (ID) 1.4 A 1.4 A 1.4 A
最大漏源导通电阻 7 Ω 7 Ω 7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 36 W 36 W 36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 5.6 A 5.6 A 5.6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） -

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