1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Silicon-Power Rectifiers
Nominal current – Nennstrom
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
35 A
50...1000 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Recommended mounting torque
Empfohlenes Anzugsdrehmoment
DO-5
6g
26 ± 10% lb.in.
3 ± 10% Nm
Dimensions / Maße in mm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 R)
Maximum ratings
Type
Typ
1N 1183
1N 1184
1N 1186
1N 1188
1N 1190
1N 3766
1N 3768
=
=
=
=
=
=
=
PBY 301
PBY 302
PBY 303
PBY 304
PBY 305
PBY 306
PBY 307
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
C
= 100
/
C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
60
120
240
480
720
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
I
FAV
35 A
1
)
f > 15 Hz
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
I
FRM
80 A
1
)
I
FSM
450 A
I
FSM
i
2
t
500 A
1000 A
2
s
1
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100
/
C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100
/
C gehalten wird
01.04.2000
56
1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 65…+175
/
C
– 65…+175
/
C
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to stud
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
j
= 25
/
C
T
j
= 25
/
C
I
F
= 100 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thC
Kennwerte
< 1.5 V
< 500
:
A
< 1 K/W
01.04.2000
57
FPGA/CPLD
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