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1N5821-E3/73

产品描述DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N5821-E3/73概述

DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

1N5821-E3/73规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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1N5820 thru 1N5822
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Very small conduction losses
• Extremely fast switching
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
DO-201AD
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
80 A
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
125 °C
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
at 0.375" (9.5 mm) lead length at T
L
= 95 °C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N5820
20
14
20
24
1N5821
30
21
30
36
3.0
80
- 65 to + 125
1N5822
40
28
40
48
UNIT
V
V
V
V
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum average reverse current
at rated DC blocking voltage
TEST CONDITIONS
3.0
9.4
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
SYMBOL
V
F (1)
V
F (1)
I
R (1)
1N5820
0.475
0.850
1N5821
0.500
0.900
2.0
mA
20
1N5822
0.525
0.950
UNIT
V
V
Note
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Document Number: 88526
Revision: 20-Oct-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1

1N5821-E3/73相似产品对比

1N5821-E3/73 1N5822/54
描述 DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 DO-201AD DO-201AD
包装说明 O-PALF-W2 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 FAST RECOVERY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e0
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Matte Tin (Sn) TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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