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1N4003GP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小237KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N4003GP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN

1N4003GP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICAL BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
1N4001GP
thru
1N4007GP
1 Amp Glass
PassivatedRectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Features
Glass Passivated Junction
Low Current Leakage
Metallurgical Bonded Construction
Low Cost
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50°C to +175°C
Storage Temperature: -50°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 20°C/W Junction To Lead
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Microsemi
Part Number
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
1N4004GP
1N4005GP
1N4006GP
1N4007GP
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
D
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.0A
T
A
= 75°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
30A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
Instantaneous
V
F
1.1V
I
FM
= 1.0A;
Forward Voltage
T
J
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
50µA
T
J
= 125°C
Voltage
Typical Junction
C
J
15pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE

1N4003GP相似产品对比

1N4003GP 1N4005GP 1N4006GP
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 DO-41, 2 PIN DO-41, 2 PIN DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICAL BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT METALLURGICAL BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT METALLURGICAL BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V 800 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Is Samacsys N N -
Base Number Matches 1 1 -
在用AT89C51定时计数时出现的问题
#include #define uchar unsigned char #define unit unsigned int char DATA_7SEG={0xC0,0XF9,0XA4,0XB0,0X99,0X92,0X82,0XF8,0X80,0X90}; uchar FFW={0xfe,0xfd,0xfb,0xf7}; /*正转*/ ......
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