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NTD20

产品描述0.3 A, 20000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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NTD20概述

0.3 A, 20000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

NTD20规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)30 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20000 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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NTD
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT
SILICON RECTIFIERS
DIFFUSED SILICON JUNCTIONS
PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS
AVALANCHE CHARACTERISTICS
LOW LEAKAGE
Peak
EDI Type No. Reverse V oltage
PRV (V olts)
Avg. Fwd.Current
o
at 50 C
(mA)
Max. Fwd. Voltage
Drop at 25 C And I
O
V
F
(Volts)
o
Length L
Fig.3
NTD 08
NTD 10
NTD 12
NTD 15
NTD 20
NTD 25
NTD 30
NTD 35
NTD 40
NTD 45
NTD 50
NTD 60
8,000
10,000
12,000
15,000
20,000
25,000
30,000
35,000
40,000
45,000
50,000
60,000
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
300
12
15
18
24
30
38
45
54
60
70
76
83
1.00
1.25
1.50
2.00
2.50
3.00
3.75
4.00
5.00
6.25
6.25
8.00
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(at T
A
=25 C Unless Otherwise Specified)
Max. DC Reverse Current @ PRV and 25 C, I
R
Max. DC Reverse Current @ PRV and 100 C, I
R
Ambient Operating Temperature Range,T
A
o
o
1
100
A
A
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +150
o
C
20
Amps
Storage Temperature Range, T
STG
Max.One-Half Cycle Surge Current, I
FM
(Surge )@ 60Hz

NTD20相似产品对比

NTD20 NTD08 NTD12 NTD15 NTD60 NTD50 NTD40 NTD25 NTD45 NTD30
描述 0.3 A, 20000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 12000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 15000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 60000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 50000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 40000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 25000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 45000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 30000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow - unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 30 V 12 V 18 V 24 V - 76 V 60 V 38 V 70 V 45 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A 20 A 20 A - 20 A 20 A 20 A 20 A 20 A
元件数量 1 1 1 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 - 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A - 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 20000 V 8000 V 12000 V 15000 V - 50000 V 40000 V 25000 V 45000 V 30000 V
表面贴装 NO NO NO NO - NO NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE - AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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