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1N5391SB0

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小193KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N5391SB0概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

1N5391SB0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5391S thru 1N5399S
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, Low VF
- High current capability
- High reliability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Silicon Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.33g (approximately)
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 1.5 A
Maximum reverse current @ Rated VR T
J
=25
T
J
=125℃
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θjC
R
θjL
R
θjA
T
J
T
STG
1.1
5
50
30
22
25
65
- 55 to +125
- 55 to +125
O
O
O
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
400
280
400
1.5
50
1.0
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
5391S 5392S 5393S 5395S 5397S 5398S 5399S
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
pF
C/W
C
C
Document Number: DS_D1406002
Version: E14
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