1N4448-T: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小12KB，共1页; 制造商Rectron; 标准

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1N4448-T概述

Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2

1N4448-T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rectron
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-LELF-R2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LELF-R2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1N4448

1N4448 SIGNAL DIODE

Absolute Maximum Ratings (Ta=25

Items

Symbol Ratings Unit

Reverse Voltage

Reverse Recovery

trr

Time

Power Dissipation

500

3.33mW/

C (25

Forward Current

500

Junction Temp.

-65 to 175

Storage Temp.

Tstg -65 to 175

Mechanical Data

Items

Package

Case

Lead/Finish

Chip

Materials

DO-35

Hermetically sealed glass

Double stud/Solder Plating

Glass Passivated

26 MIN

Dimensions in millimeters

Dimensions (DO-35

)

DO-35

26 MIN

0.457

DIA.

0.559

4.2

max.

2.0

DIA.

max.

Electrical Characteristics (Ta=25

Ratings

Minimum Breakdown Voltage

IR= 5.0uA

IR= 100uA

Peak Forward Surge Current PW= 1sec.

Maximum Forward Voltage

IF= 100mA

Maximum Reverse Current

VR= 20V

VR= 75V

VR= 20V, Tj= 150

Maximum Junction Capacitance

VR= 0, f= 1 MHz

Maximum Reverse Recovery Time

IF= 10mA, VR= 6V, IRR= 1mA, RL= 100

Ω

Symbol

Ratings

100

1.0

Unit

IFsurge

0.025

5.0

trr

RECTRON USA

1315 John Reed Court, Industry, CA 91745

Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296

www.rectron.com

1N4448-T相似产品对比

	1N4448-T	1N4448-B
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2	Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	DO-35	DO-35
包装说明	O-LELF-R2	MINIMELF-2
针数	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V
JEDEC-95代码	DO-35	DO-35
JESD-30 代码	O-LELF-R2	O-LELF-R2
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265	265
最大功率耗散	0.5 W	0.5 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V
最大反向电流	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	WRAP AROUND	WRAP AROUND
端子位置	END	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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