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1N4448WS-H

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共7页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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1N4448WS-H概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2

1N4448WS-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SMD Switching Diode
1N4448WS
List
Formosa MS
List................................................................................................. 1
Package outline............................................................................... 2
Features.......................................................................................... 2
Mechanical data............................................................................... 2
Maximum ratings ............................................................................. 2
Rating and characteristic curves........................................................ 3
Pinning information........................................................................... 4
Marking........................................................................................... 4
Suggested solder pad layout............................................................. 4
Packing information.......................................................................... 5
Reel packing.................................................................................... 6
Suggested thermal profiles for soldering processes............................. 6
High reliability test capabilities........................................................... 7
http://www.formosams.com/
TEL:886-2-22696661
FAX:886-2-22696141
Document ID
Issued Date
2009/02/10
Revised Date
2010/03/10
Revision
B
Page.
7
Page 1
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