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1N4003GT/R

产品描述DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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1N4003GT/R概述

DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1N4003GT/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明E-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1N4003GT/R相似产品对比

1N4003GT/R GP1TTC502K29+/-0.5% PRC1210TTC2580.6K+/-0.05%
描述 DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode RESISTOR, METAL FILM, 1W, 0.5%, 50ppm, 2290ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, LEAD FREE Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 80600ohm, 200V, 0.05% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 1210,
Reach Compliance Code unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 155 °C 125 °C
包装说明 E-LALF-W2 AXIAL LEADED, LEAD FREE -
封装形状 ELLIPTICAL TUBULAR PACKAGE -
封装形式 LONG FORM - SMT
表面贴装 NO NO -
Objectid - 1298715450 939482386
Country Of Origin - USA Taiwan
YTEOL - 6.85 8.35
JESD-609代码 - e3 e3
最低工作温度 - -55 °C -55 °C
包装方法 - AMMO PACK; BULK; TR TR
额定功率耗散 (P) - 1 W 0.25 W
电阻 - 2290 Ω 80600 Ω
电阻器类型 - FIXED RESISTOR FIXED RESISTOR
技术 - METAL FILM THIN FILM
温度系数 - 50 ppm/°C -25,25 ppm/°C
端子面层 - TIN Matte Tin (Sn)
容差 - 0.5% 0.05%
工作电压 - 750 V 200 V
教你如何看器件手册的DC参数
1 前言 .................................................................................................................. 2 2 VOS (Input Offset Voltage) .......................... ......
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