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1N4003A1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小236KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N4003A1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

1N4003A1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CREAR BY ART
1N4001 - 1N4007
1.0 AMPS. Silicon Rectifiers
DO-41
Features
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s
Weight: 0.35 grams
Ordering Information (example)
Part No.
1N4001
Package
DO-41
Packing
3K / AMMO box
INNER
TAPE
52mm
Packing code
A0
Packing code
(Green)
A0G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Rating for Fusing (t<8.3ms)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@1A
Maximum Reverse Current @ Rated VR T
A
=25
T
A
=125℃
Maximum Full load Reverse Current, Full
cycle Average .375"(9.5mm) Lead Lenfth
@T
A
=75℃
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
T
V
F
I
R
1N
4001
50
35
50
1N
4002
100
70
100
1N
4003
200
140
200
1N
4004
400
280
400
1
30
3.7
1.0
5
50
30
10
65
6
15
1N
4005
600
420
600
1N
4006
800
560
800
1N
4007
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
A
A
2
S
V
uA
I
R(AV)
Cj
R
θjA
R
θjC
R
θjL
T
J
T
STG
uA
pF
O
C/W
O
O
- 55 to + 150
- 55 to + 150
C
C
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:G13
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