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1N4001T50A

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N4001T50A概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

1N4001T50A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N4001-1N4007
1N4001 - 1N4007
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
General Purpose Rectifiers (Glass Passivated)
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
4001
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current,
.375 " lead length @ T
A
= 75°C
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
50
Value
4002
100
Units
4005
600
4003
200
4004
400
1.0
30
4006 4007
800
1000
V
A
A
°C
°C
T
stg
T
J
-55 to +175
-55 to +175
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
Parameter
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Value
3.0
50
Units
W
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
rr
I
R
C
T
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
4001
Forward Voltage @ 1.0 A
Maximum Full Load Reverse Current, Full
Cycle
T
A
= 75°C
Reverse Current @ rated V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
Device
4002
4003
4004
1.1
30
5.0
500
15
Units
4005
4006 4007
V
µA
µA
µA
pF
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
1N4001-1N4007, Rev. C
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