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1N5406-GT3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共3页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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1N5406-GT3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

1N5406-GT3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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