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1N3062LEADFREE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共1页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N3062LEADFREE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N3062LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.075 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.002 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Silicon Diodes
DO-35 Case
Switching Diodes
TYPE NO.
VRRM
(V)
MAX
100
100
75
75
75
75
50
40
75
100
50
75
40
75
35
70
100
100
100
100
75
50
80
IO
(mA)
MAX
150
150
75
75
75
75
200
150
150
150
200
150
150
150
150
200
150
150
150
150
150
200
200
VF
(V)
MAX
1.0
1.0
1.0
0.85
1.0
1.0
1.0
1.0
0.88
1.0
1.0
1.0
0.88
0.88
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.2
1.1
@ IF
(mA)
10
100
20
10
10
10
200
50
20
10
200
50
20
20
30
100
20
20
100
30
10
100
100
trr
(ns)
MAX
4.0
4.0
2.0
4.0
4.0
4.0
10
2.0
2.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
7.0
9.0
CT
(pF)
4.0
4.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.0
2.0
4.0
2.5
2.0
2.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.3
1N914
1N914B
1N3062
1N3063
1N3064
1N3065
1N3600
1N3604
1N3605
1N4148
1N4150
1N4151
1N4152
1N4153
1N4154
1N4444
1N4446
1N4447
1N4448
1N4449
1N4454
1N4863
1N4864
High Voltage Switching Diodes
TYPE NO.
VRRM
(V)
MAX
200
250
IO
(mA)
MAX
200
250
VF
(V)
MAX
1.0
1.0
@ IF
(mA)
100
100
trr
(ns)
MAX
50
50
CT
(pF)
5.0
5.0
1N3070
CSSD2003
DO-35 devices are also available in Radial Tape and Reel (Euroform). See pages 236 thru 238.
(6-December 2004)
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