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1N4749AA1

产品描述Zener Diode, 24V V(Z), 5%, 1W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小271KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N4749AA1概述

Zener Diode, 24V V(Z), 5%, 1W

1N4749AA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗25 Ω
JESD-609代码e3
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散1 W
标称参考电压24 V
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
最大电压容差5%
工作测试电流10.5 mA
Base Number Matches1

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CREAT BY ART
1.0 Watt Glass Passivated Junction Silicon Zener Diodes
DO-41
Features
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Low inductance
Typical I
R
less than 5uA above 11V
High temperature soldering guaranteed:
260℃ / 10 seconds at terminals
Plastic package has Underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
1N4740A - 1M200Z
Mechanical Data
Case: Molded plastic DO-41
Expoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, lead free,
solderable per MIL-STD-202, method 2025
Polarity: Color Band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 0.3 gram
Ordering Information (example)
Part No.
1N4740A
Package
DO-41
Packing
3K / AMMO box
INNER
TAPE
52mm
Packing code
A0
Packing code
(Green)
A0G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Peak Power Dissipation at TA=50℃,
Derate above 50℃ (Note 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method)(Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
Value
1.0
6.67
10
-55 to +150
Unit
Watts
mW/℃
Amps
I
FSM
T
J
, T
STG
Note 1: Mounted on Cu-Pad size 5mm x 5mm x 1.6mm on PCB
Note 2: Measure on 8.3ms Single half Sine-Wave of equivalent square wave, duty cycle= 4 pulse per minute maximum
Version:G13

 
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