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IS62WV1288BLL-55HLI: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, STSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小106KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS62WV1288BLL-55HLI概述

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, STSOP1-32

IS62WV1288BLL-55HLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	8 weeks
Samacsys Confidence	3
Samacsys Status	Released
Samacsys PartID	532901
Samacsys Pin Count	32
Samacsys Part Category	Integrated Circuit
Samacsys Package Category	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name	IS62WV1288BLL-55HLI
Samacsys Released Date	2019-03-26 06:48:17
Is Samacsys	N
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3
长度	11.8 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.25 mm
最大待机电流	0.000005 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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IS62WV1288ALL

IS62WV1288BLL

128K x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

1.65V--2.2V V

(62WV1288ALL)

2.5V--3.6V V

(62WV1288BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Industrial temperature available

• Lead-free available

ISSI

JUNE 2005

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62WV1288ALL / IS62WV1288BLL are high-

speed, 1M bit static RAMs organized as 128K words by 8

bits. It is fabricated using

ISSI

's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected), the device assumes a standby mode at which

the power dissipation can be reduced down with CMOS

input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

The IS62WV1288ALL and IS62WV1288BLL are packaged

in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPEI), sTSOP

(TYPEI), SOP, and 36-pin mini BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A16

DECODER

128K x 8

MEMORY ARRAY

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. C

06/20/05

IS62WV1288BLL-55HLI相似产品对比

	IS62WV1288BLL-55HLI	IS62WV1288BLL-55TLI	IS62WV1288BLL-55QI	IS62WV1288BLL-45HI	IS62WV1288BLL-55BI	IS62WV1288BLL-45QI
描述	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, STSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, STSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	SOIC	TSOP1	BGA	SOIC
包装说明	TSOP1, TSSOP32,.56,20	TSOP1, TSSOP32,.8,20	SOP, SOP32,.56	PLASTIC, STSOP1-32	TFBGA, BGA36,6X8,30	SOP, SOP32,.56
针数	32	32	32	32	36	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	55 ns	55 ns	45 ns	55 ns	45 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3	e3	e0	e0	e0	e0
长度	11.8 mm	18.4 mm	20.445 mm	11.8 mm	8 mm	20.445 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	36	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	SOP	TSOP1	TFBGA	SOP
封装等效代码	TSSOP32,.56,20	TSSOP32,.8,20	SOP32,.56	TSSOP32,.56,20	BGA36,6X8,30	SOP32,.56
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.25 mm	1.2 mm	3 mm	1.25 mm	1.2 mm	3 mm
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最小待机电流	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.017 mA	0.015 mA	0.017 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.75 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	11.305 mm	8 mm	6 mm	11.305 mm
湿度敏感等级	3	-	3	-	3	3

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