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1N6062A

产品描述1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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1N6062A概述

1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2

1N6062A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明O-MALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压95.5 V
最小击穿电压86.5 V
击穿电压标称值91 V
最大钳位电压125 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-13
JESD-30 代码O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压77.8 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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