1N5649A,1N5649A pdf中文资料,1N5649A引脚图,1N5649A电路-Datasheet-电子工程世界

1N5649A: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小154KB，共2页; 制造商ProTek Devices; 官网地址http://www.protekdevices.com/

下载文档详细参数全文预览

1N5649A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	1N5649A	-	-	点击查看	点击购买

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ProTek Devices
包装说明	O-MALF-W2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW IMPEDANCE
最大击穿电压	49.4 V
最小击穿电压	44.7 V
外壳连接	CATHODE
最大钳位电压	64.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-MALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
认证状态	Not Qualified
最大反向电流	5 µA
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190