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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N17-B
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1N17-B

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小23KB，共2页
制造商Rectron
标准  
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1N17-B概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

1N17-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N17-B文档预览

RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1N17
THRU
1N19
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
*
*
Low power loss, high efficiency
Low leakage
Low forward voltage
High current capability
High speed switching
High surge capabitity
High reliability
R-1
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.12 gram
.787 (20.0)
MIN.
.025 (0.65)
DIA.
.021 (0.55)
.126 (3.2)
.106 (2.7)
.102 (2.6)
DIA.
.091 (2.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
.787 (20.0)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375” (9.5mm) lead length at T
L
= 90
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Storage and Operating Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JA
C
J
T
J
, T
STG
1N17
20
14
20
1N18
30
21
30
1.0
20
80
110
-55 to + 150
1N19
40
28
40
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
0
C/ W
pF
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum Forward Voltage at 3.1A DC
Maximum Average Reverse Current at
Peak Reverse Voltage
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100 C
o
o
o
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
1N17
.45
.75
1N18
.55
.875
1.0
10
1N19
.60
.90
UNITS
Volts
Volts
mAmps
2003-1
NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1N17 THRU 1N19 )
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, (A)
FIG. 1 -- TYPICAL FORWARD CURRENT
DERATING CURVE
AYERAGE FORWARD CURRENT, (A)
FIG. 2 - TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARCTERISTICS
20
10
1N17
1.0
.75
1N19
.50
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
0.375" (9.5mm) Lead Length
1.0
1N18
.25
TJ = 25
Pulse Width = 300uS
0
0
25
125 150
75 100
50
)
LEAD TEMPERATURE, (
175
0.1
.1
1% Duty Cycle
.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9
.7
.5
.3
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
2.1
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, (A)
FIG. 3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 4 - MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT
100
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mA)
30
25
8.3ms Single Half Sine-Wave
10
TJ = 125
(JEDEC Method)
20
15
10
5
0
1.0
0.1
TJ = 75
1
2
5
10
20
50
NUMBER OF CYCLES AT 60HZ
100
.01
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
.001
10
JUNCTION CAPACITANCE, (pF)
TJ = 25
400
200
T
J
=
25
20
40
60
80
100 120
PERCENT OF RATED PEAK
REVERSE VOLTAGE, (%)
140
100
80
60
40
20
10
.1
.4
1.0
4
10
REVERSE VOLTAGE, (V)
40
RECTRON
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1N17-B相似产品对比

1N17-B 1N19-B 1N18-B
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN O-PALF-W2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数 2 2 2
Reach Compliance Code not_compliant _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 265 265 265
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 20 V 40 V 30 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1

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