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1.5FMCJ51A-W

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 43.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共5页
制造商Rectron
标准  
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1.5FMCJ51A-W概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 43.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

1.5FMCJ51A-W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压53.6 V
最小击穿电压48.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)265
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压43.6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
TVS
1.5FMCJ
SERIES
SURFACE MOUNT GPP
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1500 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Plastic package has underwriters laboratory
Glass passivated chip construction
1500 watt surage capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time
DO-214AB
0.125 (3.17)
0.115 (2.92)
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
o
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA suffix for types 1.5FMCJ6.8 thru 1.5FMCJ200
Electrical characteristics apply in both direction
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Peak Power Dissipation with a 10/1000uS ( Note 1,2, Fig.1 )
Peak Pulse Current with a 10/1000uS Waveform
( Note 1, Fig.3 )
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75
o
C ( Note 2 )
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-
superimmposed on rated load( JEDEC METHOD )( Note 2,3 )
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for unidirectional only
( Note 3,4 )
Operating and Storage Temperature Range
V
F
T
J
, T
STG
SEE NOTES 4
-55 to + 150
Volts
0
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
VALUE
Minimum 1500
SEE TABLE 1
5.0
200
UNITS
Watts
Amps
Watts
Amps
C
2003-12
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
o
C per Fig.2.
2. Mounted on 0.31 X 0.31” (8.0 X 8.0mm) copper pads to each terminal.
3. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equivaient square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
4. V
F
= 3.5V on 1.5FMCJ6.8 thru 1.5FMCJ90 diveces and VF = 5.0V on 1.5FMCJ100 thru 1.5FMCJ400 devices.

1.5FMCJ51A-W相似产品对比

1.5FMCJ51A-W 1.5FMCJ24C-W
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 43.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Rectron Rectron
零件包装代码 DO-214AB DO-214AB
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 LOW ZENER IMPEDANCE LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压 53.6 V 26.4 V
最小击穿电压 48.5 V 21.6 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AB DO-214AB
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值反向功率耗散 1500 W 1500 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 265 265
极性 UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W 5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 43.6 V 19.4 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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