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11EQS04TA2B5

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小126KB,共1页
制造商Kyocera(京瓷)
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11EQS04TA2B5概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,

11EQS04TA2B5规格参数

参数名称属性值
厂商名称Kyocera(京瓷)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

11EQS04TA2B5相似产品对比

11EQS04TA2B5 11EQS04TA1B2
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷)
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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