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1S2074(H)RE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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1S2074(H)RE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35

1S2074(H)RE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流0.6 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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