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1N5062

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共3页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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1N5062概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon

1N5062规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N5062相似产品对比

1N5062 1N5061
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
其他特性 TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 2 A 2 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 600 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

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