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JANTX1N6109AUS

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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JANTX1N6109AUS概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JANTX1N6109AUS规格参数

参数名称属性值
厂商名称SENSITRON
包装说明O-MELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压12.35 V
击穿电压标称值13 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压19 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-MELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Qualified
最大重复峰值反向电压9.9 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5074, REV. D
1N6105A thru 1N6137A
500W Bi-directional TVS
A
V AI L AB L E AS
1 N , J AN , J AN T X , J ANT XV
JANS
JAN EQUIVALENT *
SJ*, SX*, SV*, SS*
Bi-directional Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
Qualified per MIL-PRF-19500/516
FEATURES / BENEFITS
Hermetic, non-cavity glass package
Category I Metallurgically bonded
All devices are 100% hot solder dipped
JAN/ JANTX/JANTXV available per MIL-PRF-19500/516
“JANS Plus” removes atypical/out of family V
F
Operating and Storage Temperature: -55 C to +175 C
o
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SERIES
TYPE
500W
1N6105A/US
1N6106A/US
1N6107A/US
1N6108A/US
1N6109A/US
1N6110A/US
1N6111A/US
1N6112A/US
1N6113A/US
1N6114A/US
1N6115A/US
1N6116A/US
1N6117A/US
1N6118A/US
1N6119A/US
1N6120A/US
1N6121A/US
1N6122A/US
1N6123A/US
1N6124A/US
1N6125A/US
1N6126A/US
1N6127A/US
1N6128A/US
1N6129A/US
1N6130A/US
1N6131A/US
1N6132A/US
1N6133A/US
1N6134A/US
1N6135A/US
1N6136A/US
1N6137A/US
MIN
BREAKDOWN
VOLTAGE
V(BR) @ I(BR)
Vdc
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152
171
190
mA dc
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
5.0
5.0
WORKING
PEAK REVERSE
VOLTAGE
VRWM
Vdc
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR1
Adc
20
20
20
20
20
20
20
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
MAX. CLAMP.
VOLTAGE
VC @ IP
tp = 1ms
V(pk)
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
MAX. PEAK
PULSE
CURRENT
IP
A(pk)
37.3
34.5
32.0
29.6
27.5
23.8
22.4
19.0
18.0
16.4
15.0
13.4
12.0
10.9
10.0
9.3
8.5
7.7
7.1
6.5
5.9
5.1
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.8
2.4
2.3
2.0
1.8
MAX. TEMP.
COEFFICIENT
V(BR)
% /
C
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
©2016 Sensitron Semiconductor
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
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