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1MBI400U-120

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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1MBI400U-120概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4

1MBI400U-120规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)600 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)370 ns
标称接通时间 (ton)360 ns
Base Number Matches1

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