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OPA2356AIDGKTG4

产品描述2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-VSSOP -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小816KB,共18页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到7个与OPA2356AIDGKTG4功能相似器件
敬请期待 详细参数

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OPA2356AIDGKTG4概述

2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-VSSOP -40 to 125

OPA2356AIDGKTG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码MSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00005 µA
最小共模抑制比66 dB
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00005 µA
最大输入失调电压9000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源2.7/5.5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.07 mm
标称压摆率300 V/us
最大压摆率11 mA
供电电压上限7.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽200000 kHz
最小电压增益10000
宽带YES
宽度3 mm

与OPA2356AIDGKTG4功能相似器件

器件名 厂商 描述
OPA2356AIDGKR Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-VSSOP -40 to 125
OPA2356AIDGKT Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-VSSOP -40 to 125
OPA2356AIDGKRG4 Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-VSSOP -40 to 125
OPA2356AIDR Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-SOIC -40 to 125
OPA2356AID Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-SOIC -40 to 125
OPA2356AIDG4 Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-SOIC -40 to 125
OPA2356AIDRG4 Texas Instruments(德州仪器) 2.5V, 200MHz GBW, CMOS Dual Op Amp 8-SOIC -40 to 125
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