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BAV103_R1_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAV103_R1_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, MELF-2

BAV103_R1_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明MELF-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.3 W
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAV101~BAV103
HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
120 to 250 Volts
POWER
300 mWatts
MINI-MELF/LL-34
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Mini Melf, Glass
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Cathode Band
• Marking: Cathode Band Only
• Weight: 0.03 grams
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
R e ve r s e V o l t a g e
P e a k R e ve r s e V o l t a g e
R e c t i f i e d C ur r e nt ( A ve r a g e ) , H a l f Wa ve R e c t i f i c a t i o n w i t h
R e s i s t i ve L o a d a nd f > = 5 0 H z
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , t = 1 0 0 0 m s
P o w e r D i s s i p a t i o n D e r a t e A b o ve a t 2 5
O
C
M a x i m u m F o r w a r d V o l t a g e , I
F
= 1 0 0 m A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t R a t e d D C B l o c k i ng
V o l t a g e T
J
= 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
M a xi m um R e ve r s e R e c o ve r y ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i o n J u n c t i o n S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
R
V
RRM
I
O
I
F S M
P
D
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
S TG
B AV 1 0 1
100
120
B AV 1 0 2
150
200
200
1 .0
300
1 .0
0 .1
3 .0
75
350
-6 5 to +1 7 5
B AV 1 0 3
200
250
.055(1.4)DIA.
.063(1.6)
U N IT S
V
V
mA
A
mW
V
µ
A
pF
ns
O
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=-1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-JAN.06.2009
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