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1N5821+

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小599KB,共3页
制造商SPC Multicomp
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1N5821+概述

Rectifier Diode,

1N5821+规格参数

参数名称属性值
厂商名称SPC Multicomp
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Schottky Rectifier
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data:
Case
Lead
Polarity
High Temperatures
Soldering Guaranteed
: Moulded plastic DO-201AD
: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
: Colour band denotes cathode end
: 260°C / 10 seconds / 0.375 inches (9.5mm) lead lengths at 5 lbs.,
(2.3 kg) tension
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375 Inches (9.5 mm) Lead Length at T
l
= 90°C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 9A
Maximum DC Reverse Current at T
a
= 25°C
at Rated DC Blocking Voltage at T
a
= 100°C
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes:
1. Mount on Cu-Pad Size 16 × 16 mm on PCB
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V DC
Symbol
V
rrm
V
rms
V
dc
I
(AV)
I
fsm
V
f
I
r
R
θJA
C
j
T
j
T
stg
0.475
0.85
1N5820+ 1N5821+ 1N5822+
20
14
20
30
21
30
3
A
80
0.5
0.9
2
20
40
200
-65 to + 125
0.525
0.95
V
mA
°C/W
pF
°C
40
28
40
V
Unit
www.element14.com
www.farnell.com
www.newark.com
Page <1>
13/02/18
V1.1

1N5821+相似产品对比

1N5821+ 4310T-102-1802FBAL CRT1206-FY-2701EAS
描述 Rectifier Diode, Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.18W, 18000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 9808, Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 2700ohm, 200V, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
Reach Compliance Code unknown not_compliant compliant
端子数量 2 10 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 155 °C
最低工作温度 -65 °C -55 °C -55 °C
封装形式 LONG FORM SIP SMT
技术 SCHOTTKY THIN FILM THIN FILM
包装说明 O-PALF-W2 - CHIP
其他特性 HIGH RELIABILITY - ANTI-SULFUR
表面贴装 NO - YES
是否Rohs认证 - 符合 符合
Objectid - 770577719 7169642812
ECCN代码 - EAR99 EAR99
构造 - Molded Rectangular
JESD-609代码 - e3 e3
封装高度 - 4.95 mm 0.55 mm
封装长度 - 24.99 mm 3.05 mm
封装宽度 - 2.16 mm 1.55 mm
额定功率耗散 (P) - 0.18 W 0.25 W
电阻 - 18000 Ω 2700 Ω
电阻器类型 - ARRAY/NETWORK RESISTOR FIXED RESISTOR
尺寸代码 - 9808 1206
温度系数 - 50 ppm/°C 25 ppm/°C
端子面层 - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
容差 - 1% 1%
工作电压 - 50 V 200 V
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