电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N6642US

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小547KB,共6页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
下载文档 详细参数 全文预览

1N6642US在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N6642US - - 点击查看 点击购买

1N6642US概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED GLASS PACKAGE-2

1N6642US规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Switching Diodes 1N6638 Series
1N6638, 1N6639, 1N6640, 1N6641, 1N6642, 1N6643,
1N6638U & US, 1N6639U & US, 1N6640U & US,
1N6641U & US 1N6642U & US, 1N6643U & US
Features
• Available in JAN, JANS, JANTX, JANTXV
per MIL‐PRF‐19500/578 & /609
• Switching Diodes
• Non‐Cavity Glass Plackage
• Category I Metallurgically Bonded
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature:
Operating Current:
Derating:
Surge Current:
-65°C to +175°C
300mA
Thermal Resistance:
(R
ӨJEC
): U & US 40 °C/W maximum at L = 0”
See Figure 6
(R
ӨJL
): Leaded 150 °C/W maximum at L = .375”
See Figure 7
Thermal Impedance: (Z
ӨJX
): 25 °C/W maximum
See Figure 5
IFSM = 2.5A, half sine wave,
PW = 8.3ms
Electrical Specifications @ TA = + 25 ºC ( Unless Otherwise Specified )
VBR @ IR
TYPES
V(pk)
μA
V(pk)
VFR
V(pk)
1N6638, U & US
1N6639, U & US
1N6640, U & US
1N6641, U & US
1N6642, U & US
1N6643, U & US
150
100
75
75
100
75
100
10
10
10
100
100
125
75
50
50
75
50
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
tfr
ns
20
10
10
10
20
20
pF
2.5
2.5
2.5
3.0
5.0
5.0
pF
2.0
2.8
2.8
ns
4.5
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
nA dc
35
25
50
nA dc
500
100
100
100
500
500
μA dc
50
50
75
μA dc
100
90
90
90
100
100
VWRM
VFR / tfr @
IF = 200 mA
CT1
VR=0 V
CT2
VR=1.5 V
trr
IR1
IR = 10mA VR=VRWM
IF = 10mA TA = 150°C
IR2
VR=20V
TA = 150°C
IR3
VR=20V
IR4
VR = VRWM
VF @ IF
TYPES
V dc
(min)
1N6638, U & US
1N6639, U & US
1N6640, U & US
0.54
0.76
0.82
0.87
V dc
(max)
1.1
0.8
1.2
0.62
0.86
0.92
1.0
1.1
0.8
1.2
0.8
1.2
VF2 @ IF
TA = -55°C
V dc
(max)
1.2
1.3
-
1.1
1.2
1.2
1.4
IF
mA
(pulsed)
200
10
500
1
50
100
200
200
10
100
10
100
1N6641, U & US
1N6642, U & US
1N6643, U & US
Revision Date: 2/5/2013
1
两个电容串联有什么意义
593768请问电源入口处两电容串联意义是什么,这两个电容容值都是102,用一个104不可以吗,而且输入才12V,如果说的耐压原因,但是一般贴片的电容耐压值也够了啊 ...
aq1261101415 模拟电子
PB50型高压功率升压放大器及其应用
PB50型高压功率升压放大器及其应用 夏荣,许恒迎,李忠华 (哈尔滨理工大学 电气工程学院,黑龙江 哈尔滨 150040) 1 概述 PB50是美国APEX公司推出的高压型场效应管大功率升压放大器,具 ......
fighting 模拟电子
什么是飞升曲线?
什么是飞升曲线?...
szway 嵌入式系统
提问+采用CC2540进行程序设计如何烧录
采用CC2540开发板进行开发,是通过USB口进行程序下载和烧录的。 如果自己开发实验板时,如何进行程序下载和烧录,是否可以直接通过芯片的对应端口用软件下载,或者是需要仿真器来下载呢?...
fyaocn 无线连接
赚分勿进
0...
amdsempron 嵌入式系统
线路板的不同表面处理工艺保存时长
因为铜在空气中很容易氧化,铜的氧化层对焊接有很大的影响,很容易形成假焊、虚焊,严重时会造成焊盘与元器件无法焊接,因此,捷配在生产制造时,会有一道工序,在焊盘表面涂(镀)覆上一层物质 ......
王者荣耀2 PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 206  2829  1785  551  315  58  24  16  6  46 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved