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1N5833R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 30V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小799KB,共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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1N5833R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 30V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5

1N5833R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明DO-5
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Features
High Surge Capability
1N5832(R)
1N5833(R)
1N5834(R)
SCHOTTKY DIODE MODULE TYPE S 40A
40Amp Recti er
20~40 Volts
DO- 5 (DO-203AB)
Types Up to 40 V V
RRM
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55 C to +150
Storage Temperature: -55 C to +150
P
M
J
K
Part Number
1N5832(R)
1N5833(R)
1N5834(R)
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
Maximum Maximum DC
Blocking
RMS Voltage
Voltage
14V
21V
28V
20V
30V
40V
A
D
B
N
C
G
F
E
Electrical Characteristics
@
25
Average Forward
Current
(Per pkg)
Peak Forward Surge
Current
(Per leg)
Notes
Unless Otherwise Specified
40A
800A
TC =125
1.Standard Polarity Stud is Cathode
2.Reverse Polarity: Stud is Anode
DIM
A
B
C
D
E
F
G
J
K
M
N
P
0.669
-----
-----
0.422
0.115
-----
-----
0.236
-----
-----
0.140
0.687
0.794
1.020
0.453
0.200
0.460
0.280
-----
0.589
0.063
0.175
Inches
Min
Max
1/4–28 UNF
17.19
-----
-----
10.72
2.93
-----
-----
6.00
-----
-----
3.56
17.44
20.16
25.91
11.50
5.08
11.68
7.00
-----
14.96
1.60
6
4.45
Min
Millimeters
Max
I
F(AV)
I
FSM
8.3ms , half sine
I FM
=40 A; T
J
=25
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
(Per leg)
V
F
0.70V
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
(Per leg)
Mounting toque
I
R
1mA
10mA
20mA
1.45
30
TJ = 25
TJ = 100
TJ = 150
R jc
lnch pounds
(in-pb)
/W
NOTE :
(1)
Pulse Test: Pulse Width 300
μsec.
Duty Cycle
<
2%
www.dacosemi.com.tw
-1-

1N5833R相似产品对比

1N5833R SFP66T7.5H288C 1N5834R 1N5834
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 30V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5 Film Capacitor, Polypropylene, 6% +Tol, 6% -Tol, 7.5uF, Chassis Mount, CAN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 40V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 40V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5
包装说明 DO-5 , DO-5 DO-5
Reach Compliance Code unknown compliant unknown unknown
端子数量 1 2 1 1
最高工作温度 150 °C 90 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -55 °C -55 °C
封装形状 ROUND CYLINDRICAL PACKAGE ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT Quick Connect POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
表面贴装 NO NO NO NO
厂商名称 Daco Semiconductor Co Ltd - Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd
Is Samacsys N - N N
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ANODE - ANODE CATHODE
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V - 0.7 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-203AB - DO-203AB DO-203AB
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 - O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 800 A - 800 A 800 A
元件数量 1 - 1 1
相数 1 - 1 1
最大输出电流 40 A - 40 A 40 A
封装主体材料 METAL - METAL METAL
最大重复峰值反向电压 30 V - 40 V 40 V
最大反向电流 1000 µA - 1000 µA 1000 µA
端子形式 SOLDER LUG - SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER - UPPER UPPER
Base Number Matches 1 - 1 1
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