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1N485B

产品描述200V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共4页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

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1N485B概述

200V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N485B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-GALF-W2
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压180 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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