电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANTX1N6777

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JANTX1N6777在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JANTX1N6777 - - 点击查看 点击购买

JANTX1N6777概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN

JANTX1N6777规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-257
包装说明S-XSFM-P2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-257
JESD-30 代码S-XSFM-P2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/646A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/646
Devices
1N6774
1N6775
1N6776
1N6777
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Working Peak Reverse Voltage
Forward Current
T
C
= +100°C
(1)
Forward Current Surge Peak T
P
= 8.3
0
C
Operating & Storage Junction Temperature
Symbol
1N6774 1N6775 1N6776 1N6777
Unit
V
RWM
I
F
I
FSM
T
op
,
T
stg
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
0
50
100
150
200
15
180
-65 to +150
Max.
2.0
40
Vdc
Adc
A
pk
0
C
Unit
C/W
C/W
*See appendix A for
package
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1) Derate at 300 mA/
0
C above T
C
= +100
0
C
0
0
TO-257*
(2-PIN-ISOLATED)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= +25
C Unless Otherwise Noted)
outline
Characteristics
Forward Voltage
I
F
=
8.0 Adc, pulsed
I
F
= 15
Adc, pulsed
Reverse Current Leakage
V
R
= 0.8 of V
RWM
Thermal Impedance
t
t
I
M
=15 mAdc; I
H
= 9.9 Adc; H = 200 ms; MD = 35
µs;
V
H
= 1
Vdc
Breakdown Voltage
I
R
= 10
µAdc
1N6774
1N6775
1N6776
1N6777
Junction Capacitance
V
R
= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz
Reverse Recovery Time
I
F
= 1.0 Adc; di/dt = 50 A/µs
Symbol
V
F
I
R
Z
ØJX
Min.
Max.
1.00
1.15
10
Unit
Vdc
µAdc
0
C/W
1.8
50
100
150
200
300
35
V
BR
Vdc
C
J
t
rr
pF
ηs
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 1

JANTX1N6777相似产品对比

JANTX1N6777 29160D911JO1 293200B251GO1 JANTXV1N6777 715P3922900LB3 715P4712900LA2 715P4723800LC1 715P5621800LB3
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN Mica Capacitor, Mica, 6000V, 5% +Tol, 5% -Tol, -/+100ppm/Cel TC, 0.00091uF, Mica Capacitor, Mica, 20000V, 2% +Tol, 2% -Tol, 0.00025uF, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN CAPACITOR, METALLIZED FILM CAPACITOR, METALLIZED FILM CAPACITOR, METALLIZED FILM CAPACITOR, METALLIZED FILM
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant unknown unknown unknown unknown
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
是否无铅 含铅 - - 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 符合 符合 符合 符合
JESD-609代码 e0 - - e0 e3 e3 e3 e3
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
Objectid - 843963833 843965330 - 1339802011 1339802103 1339802216 1339802359
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
电容器类型 - MICA CAPACITOR MICA CAPACITOR - FILM CAPACITOR FILM CAPACITOR FILM CAPACITOR FILM CAPACITOR

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1932  1012  1379  2492  502  6  7  22  59  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved