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JANS1N6158US

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 35.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共4页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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JANS1N6158US概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 35.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

JANS1N6158US规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明O-XELF-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压42.3 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压61.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压35.8 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

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1N6138US thru 1N6173US
1N6139AUS thru 1N6173AUS
1500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
BR MIN
= 6.12 -180V
V
RWM
= 5.2 - 152V
V
C
(max) = 11 - 273V
I
(BR)
1N6138 - 1N6173 = 5mA - 175mA
Features
Low dynamic impedance
Hermetically sealed non-cavity construction
1500 watt peak pulse power
7.5W continuous
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.
They can be supplied fully released as JANTX,
JANTXV and JANS versions.
Electrical Specifications
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Device
Type
Minimum
Breakdow n
Voltage
V
(BR)
@ I
(BR)
Volts
Test
Working
Current Pk. Reverse
I
(BR)
Voltage
V
RWM
mA
175
175
175
150
150
150
150
125
125
125
125
100
100
100
100
75
75
75
75
Volts
5.2
5.7
5.7
6.2
6.2
6.9
6.9
7.6
7.6
8.4
8.4
9.1
9.1
9.9
9.9
11.4
11.4
12.2
12.2
Maximum
Reverse
Current
I
R1
µA
500
300
300
100
100
100
100
100
100
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1
Maximum
Clamping
Voltage
V
C
@ I
P
Volts
11.0
11.8
11.2
12.7
12.1
14.0
13.4
15.2
14.5
16.3
15.6
17.7
16.9
19.0
18.2
21.9
21.0
23.4
22.3
Maximum
Pk. Pulse
Current I
P
T
P
= 1mS
Amps
136.4
127.1
133.9
118.1
124.0
107.1
111.9
98.7
103.4
92.0
96.2
84.7
88.8
78.9
82.4
68.5
71.4
64.1
67.3
Temp.
Coeff. of
V
(BR)
α
(VZ)
% °C
/
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
Maximum
Reverse
Current
I
R2
@ 150°C
µA
12,000
3,000
3,000
2,000
2,000
1,200
1,200
800
800
800
800
600
600
600
600
400
400
400
400
www.semtech.com
1N6138
1N6139
1N6139A
1N6140
1N6140A
1N6141
1N6141A
1N6142
1N6142A
1N6143
1N6143A
1N6144
1N6144A
1N6145
1N6145A
1N6146
1N6146A
1N6147
1N6147A
6.12
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.0
9.5
9.9
10.45
10.8
11.4
11.7
12.35
13.5
14.25
14.4
15.2
Revision: February 2010
根据我利用LM3S8962设计产品开发的需要,今天将研读LM3S8962 I2C英文资料心得分享如下
I2C 内部模块图如下: 47970 从上面模块图可以看出,LM3S8962支持主从两种模式,对应外部I2C总线,本产品设计中利用LM3S8962的I2C模块对数模转换芯片DAC8571进行数目转换。因此本设计中利用I2 ......
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