电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JAN1N6777

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JAN1N6777在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JAN1N6777 - - 点击查看 点击购买

JAN1N6777概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN

JAN1N6777规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-257
包装说明S-XSFM-P2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-257
JESD-30 代码S-XSFM-P2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/646A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/646
Devices
1N6774
1N6775
1N6776
1N6777
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Working Peak Reverse Voltage
Forward Current
T
C
= +100°C
(1)
Forward Current Surge Peak T
P
= 8.3
0
C
Operating & Storage Junction Temperature
Symbol
1N6774 1N6775 1N6776 1N6777
Unit
V
RWM
I
F
I
FSM
T
op
,
T
stg
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
0
50
100
150
200
15
180
-65 to +150
Max.
2.0
40
Vdc
Adc
A
pk
0
C
Unit
C/W
C/W
*See appendix A for
package
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1) Derate at 300 mA/
0
C above T
C
= +100
0
C
0
0
TO-257*
(2-PIN-ISOLATED)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= +25
C Unless Otherwise Noted)
outline
Characteristics
Forward Voltage
I
F
=
8.0 Adc, pulsed
I
F
= 15
Adc, pulsed
Reverse Current Leakage
V
R
= 0.8 of V
RWM
Thermal Impedance
t
t
I
M
=15 mAdc; I
H
= 9.9 Adc; H = 200 ms; MD = 35
µs;
V
H
= 1
Vdc
Breakdown Voltage
I
R
= 10
µAdc
1N6774
1N6775
1N6776
1N6777
Junction Capacitance
V
R
= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz
Reverse Recovery Time
I
F
= 1.0 Adc; di/dt = 50 A/µs
Symbol
V
F
I
R
Z
ØJX
Min.
Max.
1.00
1.15
10
Unit
Vdc
µAdc
0
C/W
1.8
50
100
150
200
300
35
V
BR
Vdc
C
J
t
rr
pF
ηs
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 1

JAN1N6777相似产品对比

JAN1N6777 292100B251GO0 715P3922900LD1 715P5621800LA3
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN Mica Capacitor, Mica, 10000V, 0.00025uF CAPACITOR, METALLIZED FILM CAPACITOR, METALLIZED FILM
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 2
是否无铅 含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 - 符合 符合
JESD-609代码 e0 - e3 e3
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin (Sn) Tin (Sn)
Objectid - 1224044639 1339802015 1339802356
电容器类型 - MICA CAPACITOR FILM CAPACITOR FILM CAPACITOR
制造商序列号 - 292 715P 715P
基于无线局域网(WLAN)的无线多跳Mesh网络多信道实现
引言 无线局域网近年来在机场、酒吧、家庭等地方已实现WLAN的覆盖,从而使用户摆脱了有线上网的束缚而获得了极大的方便。为了以无线的方式实现更大范围的覆盖,WLAN中的接入点AP应添加无线mesh ......
duminshe 无线连接
俄罗斯方块
楼主,能不能发一份源程序和电路图给我。非常感谢!!...
xiaozhuzhu 单片机
电励磁电机和永磁电机在效率上差异大的原因
说白了也就是异步电机和永磁同步电机效率差异 永磁同步电机与异步电机相比,具有明显的优势,它效率高,功率因素高,能力指标好,体积小,重量轻,温升低,技能效果显著,较好地提高了电网的品质因素, ......
卓联微科技 电机控制
LPC800基于模拟比较器的∑ -Δ ADC实现
500PCS开发板已经发出,为大家找些资料。 121168...
zhaojun_xf NXP MCU
利用GSM 数据传输的Zigbee 无线传感器网络
利用GSM 数据传输的Zigbee 无线传感器网络...
lorant 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 732  372  50  2086  1025  37  51  34  22  6 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved