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JAN1N5712

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小178KB,共6页
制造商AVAGO
官网地址http://www.avagotech.com/
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JAN1N5712概述

SILICON, MIXER DIODE

JAN1N5712规格参数

参数名称属性值
厂商名称AVAGO
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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