Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5709B

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1N5709B: 产品描述Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小17KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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1N5709B概述

Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5709B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码	DO-7
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最小击穿电压	65 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	5%
最小二极管电容比	3.2
标称二极管电容	82 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码	DO-7
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	150
最大重复峰值反向电压	60 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
变容二极管分类	ABRUPT
Base Number Matches	1

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1N5709B

ABRUPT VARACTOR DIODE

PACKAGE STYLE DO-7

DESCRIPTION:

The

ASI 1N5709B

is an Abrupt Varactor

Diode, designed for general purpose

applications.

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

20 nA

70 V

400 mW @ T

= 25 °C

-65 °C to +175 °C

-65 °C to +200 °C

250 °C/W

NONE

CHARACTERISTICS

SYMBOL

T60

= 10

µA

= 60 V

= 25 °C

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL

MAXIMUM

UNITS

µA

= 150 °C

= 4.0 V

= 4.0 V/V

= 60 V

= 4.0 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

77.9

3.2

150

86.1

3.4

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1202

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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