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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5704A
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1N5704A

产品描述Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB，共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N5704A概述

Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5704A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压65 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比3.2
标称二极管电容33 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数350
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5681 TO 1N5709
PART
NUMBER
CAPACITANCE
@ 4Vdc
1 MHz (pF)
MIN QUALITY FACTOR
@ 4Vdc
F = 50 MHz
CAPACITANCE RATIO
2V / 40V
4V / 60V
MIN TYP
MIN TYP
MAX WORKING
VOLTAGE
(Vdc)
MIN REVERSE
BREAKDOWN VOLTAGE
Ir = 10µA (Vdc)
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Package Style
DC Power Dissipation
Max Reverse Current (I
R
)
Max Reverse Current (I
R2
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
@ Ta = 25°C
@ Ta = 150°C
Standard Device
Suffix A
Suffix B
DO-7
400 mW
20 nA @ MWV
20 µA @ MWV
-65 to + 175°C
-65 to + 200°C
±20%
±
10%
±
5%
P.O. BOX 609
•
ROCKPORT, MAINE 04856
•
207-236-6076
•
FAX 207-236-9558

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