电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4576A

产品描述Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小455KB,共4页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
下载文档 详细参数 全文预览

1N4576A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4576A - - 点击查看 点击购买

1N4576A概述

Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N4576A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码DO-35
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.4 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max0.32 mV/°C
最大电压容差5%
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Temperature Compensated
Zener Reference Diode Series
1N4565 thru 1N4584A, 1N4565A-1 thru 1N4584A-1
Features
Available in JAN, JANTX , JANTXV and JANS per MIL-PRF-19500/452
6.4 Volt Nominal Zener Voltage +5 %
Metallurgically Bonded
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
lR = 2 μA @ 25°C & VR = 3 Vdc
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
Type
Number
mA
1N4565-1
1N4565A-1
1N4566-1
1N4566A-1
1N4567-1
1N4567A-1
1N4568-1
1N4568A-1
1N4569-1
1N4569A-1
1N4570-1
1N4570A -1
1N4571-1
1N4571A-1
1N4572-1
1N4572A-1
1N4573, -1
1N4573A, -1
1N4574-1
1N4574A-1
1N4575-1
1N4575A-1
1N4576-1
1N4576A-1
1N4577-1
1N4577A-1
1N4578-1
1N4578A-1
1N4579-1
1N4579A-1
1N4580-1
1N4580A-1
1N4581-1
1N4581A-1
1N4582-1
1N4582A-1
1N4583-1
1N4583A-1
1N4584-1
1N4584A-1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
Zener
Test
Current
Effective
Temperature
Coefficient
Voltage
Temperature
Stability
(3VZT maximum)
(Note1)
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to + 100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to + 75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
Temperature
Range
Maximum Dynamic
Zener
Impeadance
(Note 2)
Ohms
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
NOTE 1:
NOTE 2:
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the
specified mV at any discrete temperature between the established limits, per JEDEC standard No. 5.
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10% of lZT.
Revision Date: 2/3/2009
New Product
1
LM3S系列函数库
LM3S系列M3常用函数库,UART、IIC、CAN、USB等等,,基于keil的,下载前请确认。...
kevinrobot ARM技术
一些关于FPGA的IP核资料共享
一些关于FPGA的IP核资料共享 ...
青城山下 FPGA/CPLD
如何用STM32的TIM1产生 带死区的互补PWM
小弟初学STM32,现想用定时器TIM1产生带死区的互补PWM脉宽 来驱动全桥逆变,之前是用调死区来调节占空比,但是这样占空比只能调节一点点,才几微妙,肯定各位大哥大姐指点一下,一个项目卡在这 ......
asd54255 stm32/stm8
mobile c++关于关机事件
mobile c++关于关机事件 mobile c++ 程序正在运行,长按power键让mobile手机关机,关机事件能响应到程序中吗?我的程序是用其所callback回调函数机制......
diandian06 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----先睹为快:业界第一款32 Gbps的20 nm FPGA收发器(中文字幕)
先睹为快:业界第一款32 Gbps的20 nm FPGA收发器(中文字幕):https://training.eeworld.com.cn/course/2112Altera下一代20 nm产品系列将支持前沿的收发器技术。Altera在采用TSMC 20SoC工艺技术 ......
chenyy FPGA/CPLD
[转帖]移动通信手持机锂电池及充电器的安全
信息产业部邮电工业产品质量监督检验中心移动通信手持机电池的市场空间巨大,但假冒伪劣电池泛滥成灾,用废旧电池芯生产的劣质电池在外观结构上不易被识破,这种电池不但容量不足、寿命短,而且 ......
fjeiwo 能源基础设施

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1175  1013  990  2580  2848  16  26  11  7  9 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved