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1N5818-1E3

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小328KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N5818-1E3概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5818-1E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5818-1, 1N5819-1, 1N6759-1 – 1N6761-1
and DSB1A20 – DSB1A100
Qualified Levels*:
JAN, JANTX, JANTXV
and JANS
Available on
commercial
versions
1 Amp Schottky Barrier Rectifiers
Qualified per MIL-PRF-19500/586
DESCRIPTION
This 1 Amp Schottky barrier rectifier is metallurgically bonded and offers military grade
qualifications for the part numbers of 1N5819-1 and 1N6761-1 for high-reliability applications.
This small diode is hermetically sealed and bonded into a DO-41 glass package.
Important:
For the latest information, visit our website
http://www.microsemi.com.
FEATURES
JEDEC registered 1N5818, 1N5819 and 1N6759 through 1N6761 numbers.
Hermetically sealed DO-41 glass package.
Metallurgically bonded.
*1N5819-1 and 1N6761-1 only are available in JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications per
MIL-PRF-19500/586.
(See
part nomenclature
for all available options.)
RoHS compliant versions available (commercial grade only).
DO-41 Package
Also available in:
DO-213AB package
(surface mount)
1N5819UR-1,
1N6761UR-1 and CDLL
variants
APPLICATIONS / BENEFITS
Small size for high density mounting using flexible thru-hole leads (see package illustration).
Low reverse (leakage) currents.
Non-sensitive to ESD per MIL-STD-750 test method 1020 (human body model).
Inherently radiation hard as described in Microsemi “MicroNote
050”.
MAXIMUM RATINGS
@ T
A
= +25 ºC unless otherwise specified
Parameters/Test Conditions
Storage Temperature
Junction Temperature
Symbol
T
STG
T
J
R
ӨJL
R
ӨJA
I
O
I
FSM
Value
-65 to +150
-65 to +125
-65 to +150
70
220
1.0
25
260
Unit
ºC
ºC
ºC/W
ºC/W
A
A
o
C
1N5819-1
1N6761-1
Thermal Resistance, Junction-to-Lead
@ lead length = 0.375 inch (9.52 mm) from body
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(1)
Average Rectified Output Current
Surge Peak Forward Current
Solder Temperature @ 10 s
NOTE:
1. T
L
= 45ºC for the 1N5819-1 and T
L
= 55ºC for the 1N6761-1.
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
T4-LDS-0301, Rev. 1 (6/25/13)
©2013 Microsemi Corporation
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