电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N1186AR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N1186AR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N1186AR - - 点击查看 点击购买

1N1186AR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN

1N1186AR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-5
包装说明ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN
针数1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用HIGH POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流950 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N1183, 1N3765, 1N1183A, 1N2128A Series
Vishay High Power Products
Power Silicon Rectifier Diodes,
35 A/40 A/60 A
DESCRIPTION/FEATURES
• Low leakage current series
• Good surge current capability up to 1000 A
• Can be supplied to meet stringent military, aerospace and
other high reliability requirements
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
DO-203AB (DO-5)
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
35 A/40 A/60 A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
PARAMETER
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
I
2
√t
V
RRM
Range
Note
(1)
JEDEC registered values
TEST CONDITIONS
T
C
50 Hz
60 Hz
50 Hz
60 Hz
1N1183
35
140
(1)
(1)
1N3765
35
(1)
(1)
1N1183A
40
150
(1)
(1)
1N2128A
60
(1)
(1)
UNITS
A
°C
A
A
2
s
A
2
√s
V
140
140
480
500
(1)
1140
1040
16 100
50 to 600
(1)
380
400
(1)
730
670
10 300
700 to 1000
(1)
765
800
(1)
2900
2650
41 000
50 to 600
(1)
860
900
(1)
3700
3400
52 500
50 to 600
(1)
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VOLTAGE RATINGS
TYPE NUMBER
V
RRM
, MAXIMUM REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
(T
J
= - 65 °C TO 200 °C
(2)
)
V
1N1183A
1N1184A
1N1185A
1N1186A
1N1187A
1N1188A
1N1189A
1N1190A
1N2128A
1N2129A
1N2130A
1N2131A
1N2133A
1N2135A
1N2137A
1N2138A
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
V
RM
, MAXIMUM DIRECT
REVERSE VOLTAGE
(T
J
= - 65 °C TO 200 °C
(2)
)
V
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
1N1183
1N1184
1N1185
1N1186
1N1187
1N1188
1N1189
1N1190
1N3765
1N3766
1N3767
1N3768
Notes
(1)
JEDEC registered values
(2)
For 1N1183 Series and 1N3765 Series T = - 65 °C to 190 °C
C
• Basic type number indicates cathode to case. For anode to case, add “R” to part number, e.g., 1N1188R, 1N3766R, 1N1186AR, 1N2135AR
Document Number: 93492
Revision: 25-May-09
For technical questions, contact:
ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1621  17  1113  168  2902  51  58  53  20  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved