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M312L2828CT0-CA2

产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
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文件大小96KB,共13页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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M312L2828CT0-CA2概述

DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

M312L2828CT0-CA2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度9663676416 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率6.75 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

M312L2828CT0-CA2相似产品对比

M312L2828CT0-CA2 M312L2828CT0-CA0 MTB1-27PAL57-L-4-FR022 M312L2828CT0-CB0 M312L2828CT0-LA2 M312L2828CT0-LA0
描述 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 27 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH MICROPIN AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) - - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 184 - 184 184 184
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.8 ns - 0.75 ns 0.75 ns 0.8 ns
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 100 MHz - 133 MHz 133 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 9663676416 bit 9663676416 bi - 9663676416 bit 9663676416 bit 9663676416 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 - 72 72 72
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 1
功能数量 1 1 - 1 1 1
端口数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 184 184 - 184 184 184
字数 134217728 words 134217728 words - 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 - 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128MX72 128MX72 - 128MX72 128MX72 128MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 DIMM184 - DIMM184 DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 - 225 225 225
电源 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 - 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES - YES YES YES
最大压摆率 6.75 mA 5.92 mA - 6.75 mA 6.75 mA 5.92 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V - 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO - NO NO NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 - 1 1 -

 
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