Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR10100FCT

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MBR10100FCT: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小729KB，共3页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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MBR10100FCT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN

MBR10100FCT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.95 V
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	120 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大功率耗散	2 W
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	100 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

MBR1060, 70, 80, 90, 100FCT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES



Schottky Barrier Chip



Guard Ring Die Construction for Transient Protection



Low Power Loss,High Efficiency



High Surge Capability



High Current Capability and Low Forward Voltage Drop



For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

MAXIMUM RATINGS ( T

=25

℃

unless otherwise noted )

Value

Symbol

Parameter

MBR10

60FCT

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

ΘJA

stg

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

RMS reverse voltage

Average rectified output current

Non-Repetitive peak forward surge current

8.3ms half sine wave

Power dissipation

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature

Storage temperature

120

125

-55~+150

℃/W

℃

100

MBR10

70FCT

MBR10

80FCT

MBR10

90FCT

MBR10

100FCT

Unit

TO-220F

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

A,Nov,2010

C,Jan,2014

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