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1N4148-TR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N4148-TR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,

1N4148-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Silicon Switching Diode
Applications
1N4148
or
1N4148-1
DO-35 Glass Package
Used in general purpose applications,where a controlled forward
characteristic and fast switching speed are important.
Features
DO-35 Glass Package
La dDa .
e
i
0. 1 - . 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
Six sigma quality
Metallurgically bonded
BKC's Sigma Bond™ plating
1.0"
Length
for problem free solderability
25.4 mm
m m
(Min.)
LL-34/35 MELF SMD available
Hermetic Glass Body
Available up to JANTXV-1 levels
"S" level screening available to Source Control Drawings-
0.120-.200"
3.05-5.08-
Dia.
0.06-0.09"
15 - . 8m m
. 322
i
Maximum Ratings
Peak Inverse Voltage @ 5µA & 0.1µA @ -55
o
C
Average Rectified Current
Continuous Forward Current
Peak Surge Current (t
peak
= 1 sec.)
BKC Power Dissipation T
L
=50
o
C, L = 3/8" from body
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics @ 25
o
C*
Forward Voltage Drop @ I
F
= 10 mA
Breakdown Voltage @ I
R
= 5 µA
Breakdown Voltage @ I
R
= 100µA
Symbol
V
F
PIV
PIV
Symbol
PIV
Iavg
I
Fdc
I
peak
P
tot
T
Op
T
St
Minimum
***
75
100
Value
100 (Min).
200
300
1.0
500
-65 to +200
-65 to +200
Maximum
1.00
Unit
Volts
mAmps
mAmps
Amp
mWatts
o
C
o
C
Unit
Volts
Volts
Volts
Reverse Leakage Current @ V
R
= 75 V
Capacitance @ V
R
= 0 V, f = 1mHz
Reverse Recovery time (note 1)
I
R
C
T
t
rr
5 (100 @ 150
o
C)
4.0
4.0
µA
pF
nSecs
Note 1: Per Method 4031-A with I
F
= 10 mA,Vr = 6 V, R
L
= 100 Ohms. * UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841
Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

1N4148-TR相似产品对比

1N4148-TR 1N4148DIE
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DIE
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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