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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4003GP
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1N4003GP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB，共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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1N4003GP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

1N4003GP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码DO-41
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Features
•
•
•
•
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4001GP
THRU
1N4007GP
1 Amp Glass
PassivatedRectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Glass Passivated Junction
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Cost
•
•
•
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 20
°C/W
Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
D
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
1N4004GP
1N4005GP
1N4006GP
1N4007GP
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.0A
T
A
= 75°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
30A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
1.1V
I
FM
= 1.0A;
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
J
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
50µA
T
J
= 125°C
Voltage
Typical Junction
C
J
15pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
Revision: 3
www.mccsemi.com
2002/12/31

1N4003GP相似产品对比

1N4003GP 1N4002GP 1N4006GP
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Is Samacsys N N -
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.2 V
最大非重复峰值正向电流 30 A - 30 A
最高工作温度 175 °C - 175 °C
Base Number Matches 1 1 -

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