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1N486BT50A

产品描述DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小126KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N486BT50A概述

DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

1N486BT50A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压250 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N486B
General Description:
A General Purpose, Low Leakage Diode in the DO-35 package.
These diodes couple very low reverse leakage current with high
forward conduction and high reverse blocking voltage.
General Purpose Low
Leakage Diode
Absolute Maximum Ratings*
Sym
T
stg
T
J
P
D
R
OJA
W
iv
I
O
I
F
i
f
i
F(surge)
This product is light sensitive, any damage to the body coating
will affect the reverse leakage when exposed to light.
TA = 25
O
C unless otherwise noted
Parameter
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Total Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Linear Derating Factor from T
A
= 25
O
C
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
DC Forward Current (I
F
)
Recurrent Peak Forward Current (I
F
)
Peak Forward Surge Current (I
FSM
) Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
Value
-65 to +200
175
500
3.33
300
225
200
500
600
1.0
4.0
Units
O
C
O
C
mW
mW/
O
C
O
C/W
V
mA
mA
mA
Amp
Amp
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired
CATHODE
BAND
MARKING
LOGO
1N
48
6B
0.500
Minimum
12.70
Typ 1.000
0.200 (5.08)
0.120 (3.05)
0.022 (0.558)
Diameter
0.018
(0.458)
Typ 20 mils
0.090 (2.28)
Diameter
0.060 (1.53)
Electrical Characteristics
SYM
B
V
I
R
V
F
TA = 25
O
C unless otherwise noted
CHARACTERISTICS
Breakdown Voltage
Reverse Leakage
Forward Voltage
MIN
250
MAX
UNITS
V
I
R
TEST CONDITIONS
= 100 uA
50
10
1.0
nA
uA
mV
V
R
= 225 V
V
R
= 225 V, T
A
= 150
O
C
I
F
= 100 mA
Revision A - 1N486B
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

1N486BT50A相似产品对比

1N486BT50A 1N486BT50R
描述 DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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