Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电阻器> 83C2F-E28-J16

文档预览

83C2F-E28-J16: 产品描述Potentiometer, Wire Wound, 1W, 20000ohm, 5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel,; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小290KB，共4页; 制造商Bourns; 官网地址http://www.bourns.com

下载文档详细参数全文预览

83C2F-E28-J16概述

Potentiometer, Wire Wound, 1W, 20000ohm, 5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel,

83C2F-E28-J16规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	772361504
Reach Compliance Code	unknown
构造	Square
引线直径	0.3 mm
引线长度	6.35 mm
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	1 °C
封装高度	17.4 mm
封装长度	15.88 mm
封装形式	PCB Mount
封装宽度	37.03 mm
额定功率耗散 (P)	1 W
电阻	20000 Ω
电阻器类型	POTENTIOMETER
旋转角	3600 deg
系列	83
技术	WIRE WOUND
温度系数	50 ppm/°C
容差	5%

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

VE S CO

AV R M

AI SIO PL

LA N IA

BL S NT

Features

■

Compatible with other members of the Model 80 Series

■

The only 10-turn precision potentiometer in a modular panel control package

■

Up to 2 sections available

83/84 - 5/8 ” Square 10-Turn

Initial Electrical Characteristics

Wirewound Element (J Taper)

Hybritron

Element (K Taper)

Standard Resistance Range ........................................................................ 200 to 100 K ohms............................................... 1 K to 100 K ohms

Total Resistance Tolerance .......................................................................... ±5 % .................................................................... ±10 %

Independent Linearity .................................................................................. ±0.25 % ............................................................... ±0.25 %

Absolute Minimum Resistance (J Taper) ..................................................... 1.0 ohm or 0.1 % (whichever is greater) .............. –

Effective Electrical Angle ............................................................................. 3600 ° +10 °, -0 ° ................................................. 3600 ° +10 °, -0 °

Dielectric Withstanding Voltage (MIL-STD-202, Method 301)

Sea Level ............................................................................................... 1,000 VAC minimum ............................................ 1,000 VAC minimum

Insulation Resistance (500 VDC) ................................................................. 1,000 megohms minimum ................................... 1,000 megohms minimum

Power Rating (Voltage Limited By Power Dissipation or 350 VAC, Whichever Is Less)

+70 °C .................................................................................................. 1 watt ................................................................... 1 watts

+125 °C ................................................................................................. 0 watt ................................................................... 0 watt

Theoretical Resolution ................................................................................. See table .............................................................. Essentially inﬁnite

End Voltage (K Taper) .................................................................................. – ........................................................................... 0.2 % of applied voltage

Noise (J Taper) ............................................................................................. 100 ohms ENR maximum .................................... –

Output Smoothness (K Taper) ..................................................................... – ........................................................................... 0.15 % maximum

Environmental Characteristics

Operating Temperature Range .................................................................... +1 °C to +125 °C ................................................. +1 °C to +125 °C

Storage Temperature Range ....................................................................... -55 °C to +125 °C ................................................ -55 °C to +125 °C

Temperature Coefﬁcient Over Storage Temperature Range ....................... ±50 ppm/°C ......................................................... ±100 ppm/°C

Vibration ...................................................................................................... 15 G ..................................................................... 15 G

Total Resistance Shift ............................................................................ ±2 % .................................................................... ±2 %

Voltage Ratio Shift ................................................................................. ±0.2 % ................................................................. ±0.2 %

Wiper Bounce........................................................................................ 0.1 millisecond maximum .................................... 0.1 millisecond maximum

Shock .......................................................................................................... 50 G ..................................................................... 50 G

Total Resistance Shift ............................................................................ ±2 % .................................................................... ±2 %

Voltage Ratio Shift ................................................................................. ±0.2 % ................................................................. ±0.2 %

Wiper Bounce........................................................................................ 0.1 millisecond maximum .................................... 0.1 millisecond maximum

Load Life...................................................................................................... 1,000 hours .......................................................... 1,000 hours

Total Resistance Shift ............................................................................ ±2 % maximum ................................................... ±5 % maximum

Rotational Life (No Load) ............................................................................. 1,000,000 shaft revolutions.................................. 4,000,000 shaft revolutions

Total Resistance Shift ............................................................................ ±5 % maximum .................................................. ±5 % maximum

Moisture Resistance (MIL-STD-202, Method 103, Condition B)

Total Resistance Shift ............................................................................ ±2 % maximum ................................................... ±5 % maximum

Insulation Resistance (500 VDC) ........................................................... 100 megohms minimum ...................................... 100 megohms minimum

IP Rating ...................................................................................................... IP 40 ..................................................................... IP 40

Mechanical Characteristics

Stop Strength ......................................................................................................................................................................33.90 N-cm (48.0 oz.-in.) minimum

Mechanical Angle ........................................................................................................................................................................................... 3600 ° +15 °, -0 °

Torque

Starting ............................................................................................................................................. Running torque plus 0.7 N-cm (1.0 oz.-in.) maximum

Running (1 or 2 Section) ........................................................................................................................................... 0.18 to 1.41 N-cm (0.25 to 2.0 oz.-in.)

Mounting (Torque on Bushing) .................................................................................................................................. 1.7-2.0 N-m (15-18 lb.-in.) maximum

Shaft Runout ...................................................................................................................................................................................... 0.15 mm (0.006 in.) T.I.R.

Shaft End Play .................................................................................................................................................................................... 0.36 mm (0.014 in.) T.I.R.

Shaft Radial Play ................................................................................................................................................................................ 0.13 mm (0.005 in.) T.I.R.

Weight (Single Section)..................................................................................................................................................................................... 21 gm (0.75 oz.)

(Each Additional Section) ........................................................................................................................................................................... 18 gm (0.65 oz.)

Terminals ....................................................................................................................................................................... Printed circuit terminals or solder lugs

Soldering Condition ...................................................................Recommended hand soldering using Sn95/Ag5 no clean solder, 0.025 ” wire diameter.

Maximum temperature 399 °C (750 °F) for 3 seconds. No wash process to be used with no clean ﬂux

Marking..........................................................................Manufacturer’s trademark, wiring diagram, date code and resistance, manufacturer’s part number

Ganging (Multiple Section Potentiometers) ...................................................................................................................................................... 2 cup maximum

Hardware ............................................One lockwasher and one mounting nut is shipped with each potentiometer, except where noted in the part number.

NOTE: Model 83/84 performance speciﬁcations do not apply to units subjected to printed circuit board cleaning procedures.

1At room ambient: +25 °C nominal and 50 % relative humidity nominal, except as noted.

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27, 2003 including Annex.

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their speciﬁc applications.

推荐资源

检测当前地址页是否为别名: 一个内存检查的例程如下： for(i = 0; i < NUM_MEM_AREAS; i++) memory_map.used = 0; /* first write a 0 to all memory locations */ for(addr = MEM_START; addr < MEM_END ......; 6562748 嵌入式系统

LPC2478中几个时钟频率的解释: 全英文的datasheet中出现了CCLK，PCLK等几个名称，它们具体的含义如下： LPC2478中有3个晶振。一个为Main Oscillator, 一个为Internal RC Oscillator,一个为RTC Oscillator. Internal RC ......; Jacktang 模拟与混合信号

请教：安装wince5.0时候出现回滚是怎么回事: 我在安装wince5.0的时候，马上要安装完的时候出现了回滚现象。导致安装不成功，请问是什么原因呢？...; vongy 嵌入式系统

【晒心得】CC2541 SensorTag 与iPhone 连接初体验: 前几天就收到货了，苦于没有iPhone 4S 或者 iPhone 5，迟迟没有试用CC2541 SensorTag。今天借了一个iPhone，简单体验了一下。在此向借我iPhone的朋友表示感谢。先来一张合影： 128801 ......; 长毛小兔无线连接

意法半导体发布 Linux Drivers and Android HAL Input: Linux Driversand Android HAL for Input framework supporting our motion/environmental sensorsare now available on official ST GitHub project, here are the links: https://githu ......; 大神肖奈 ST传感器与低功耗无线技术论坛

【MP430共享】利用MSP430的捕获比较模块实现UART功能: 为了满足单片机系统设计中对多个串口的需要，文中使用 T I 公司 MS P 4 3 0型单片机的捕获／比较模块实现 U A R T功能．文中详细介绍了 U A R T的通信方式，并根据 M S P 4 3 0型单片机捕获 ......; 鑫海宝贝微控制器 MCU

RFID技术的发展与标准化情况

　　【提要】无线射频识别(RFID)技术是一种识别技术，与之对应的识别技术还有一维条码、二维条码、光学识别技术等。 RFID技术并不是全新的技术，其应用最早可以追溯到第二次世界大战时期英国空军基地的军事设施上。近年来随着微电子、计算机和网络技术的发展，RFID技术的应用范围和深度都得到了迅速地发展。美国在伊拉克战争中对RFID技术的成功应用，以及全球有影响的大企业计划未来几年里在零售商店...[详细]
英飞凌首超意法瑞萨工业份额排名第一

　　据市场调研公司Semicast最近发表的研究报告，英飞凌（Infineon）首次在工业市场排名第一，超过了意法半导体（ST）和瑞萨（Renesas）科技。　　据这项反映2007年市场状况的研究报告，英飞凌的市场份额从上一年的6.4%上升到7.5%。意法半导体的份额则从7.8%降至7.0%。瑞萨科技的市场份额从5.4%提高到6.5%。德州仪器（TI）的市场从5.7%上升到6.3%，但它的排...[详细]
高频RFID与超高频RFID的技术应用比较

随着以Gen2为代表的超高频技术正式成为ISO 18000-6C标准，RFID技术在托盘和货箱上的应用日趋成熟，RFID标签用于单品识别提上日程，在下一个里程碑上是超高频还是高频，引起了全球RFID业界的广泛关注。高频与超高频高频RFID标签典型工作频率为13.56MHz，一般以无源为主，标签与阅读器进行数据交换时，标签必须位于阅读器天线辐射的近场区内。高频标签的阅读距离一般情况下小于1...[详细]
欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
高性能、低饱和线性稳压器的开发

　　在整机设备不断实现小型化和省电化的今天，功耗小的低漏失线性稳压器（LDO)正成为开关电源用线性稳压器市场的主流。为了实现高性能和高速度，设备内部采用的微型计算机或数字信号处理器(DSP)工艺年年都在取得突飞猛进的进步和发展，与此同时，这些微型计算机或数字信号处理器必不可少的电源电压也越来越低。另外，不同制造工艺对应的电压各自存在差异，因此要求各种各样的供电电压。为解决这一问题，各生产厂商开始在...[详细]
丁希仑：快乐“机器人”

　　“就好像变形金刚”，丁希仑这么描述他的机器人。　　当讲到飞船上的太阳帆板张开时，他的双臂直直地向两侧伸出，而讲到飞行器加速，他的胳膊贴紧两肋，好像那就是收拢的翅膀。提起机器人行走，他的上身微微扭动；有时，他会用一双结实的手转动一副不存在的旋柄。　　丁希仑，中国首屈一指的空间机器人专家，身高182，形色稳重，言语朴实，但介绍他的机器人时，动作丰富，常有笑容。　　丁教授声音温和，略带口音...[详细]
纳米生物传感器的研制初露曙光

　　由于微小生物电子传感器的问世，现在医生很快就会通过复制或改善人类嗅觉系统的方式，用气味来诊断各种疾病的早期症状。这项新的跨学科技术是由欧盟委员会未来科技部“信息社会科技项目”出资，经西班牙、法国和意大利科学家共同开发测试，最终在天然嗅觉器官的基础上产生出“电子鼻子”。这种“电子鼻子”不仅可以应用于医疗保健行业，还能应用于农业、工业、环保和安全等领域。 “电子鼻子”工程协调员...[详细]
微型低功耗大容量心电记录仪的研制

常规心电图记录仪是医生诊断心脏疾病的主要手段之一，但它仅能记录短暂心搏情况。由于在相当多的情况下难以记录到即刻发作时的心电图改变，导致无法作出正确的诊断和治疗。因此对病人进行长时间的心电图记录有着极其重要的临床价值。而微型动态心电记录仪能及时记录到普通心电图检测时病人不易出现的短暂异常心电活动，为临床分析病情提供重要客观依据。目前的便携式心电记录仪存储容量偏小，最多只能记录八小时的心电数据；而微...[详细]
手机芯片厂商寄望发货量在四季度反弹

就当前手机市场而言，全球范围内的几家手机制造商，包括诺基亚、三星电子、LG电子在内，今年二季季末手机发货量增长都明显放缓。二季度手机发货量放缓，可能成为积蓄力量的理由，但有部分手机芯片厂商认为，这对于眼下的第三季度并非是件好事，他们称，来自客户的反馈信息显示，今年第三季度全球手机市场发货量将低于5%，而在往年，这一比例通常高达20%。手机芯片供应商表示，目前他们对手机厂商的三季度库存尚不...[详细]
LSI推出针对Silverlight™ 的内容处理方案

2008 年 7 月 14 日， LSI 公司宣布推出针对 Microsoft® Silverlight™ 平台的内容处理解决方案，进一步扩大其产品系列范围。与最初的基于视频加速技术的内容处理产品系列相比，新系列还将包括 LSI™ Tarari® 系列内容处理器解决方案。因此该系列已经成为一套完整的解决方案，可支持安全性、服务质量、基于内容计费以及带宽管理等功...[详细]
IBM将投资15亿美元开发纳米芯片技术

　　据国外媒体报道，纽约州州长大卫·帕特森（David Paterson）周二透露，IBM将在纳米芯片项目投资15亿美元，包括在该州一个边远地区建立一家研发中心，目前地址还未选定。　　帕特森在声明中称，纽约州将向IBM提供1.4亿美元的经济发展补助金。多年来该州一直在寻找一条振兴边远地区经济的途径，这位民主党州长称，IBM的投资将创造1000个高科技工作岗位。　　除了建立新的研发中心外，...[详细]
3-D存储器芯片堆栈标准化有望替代DDR内存

　　由3D-IC联盟发起的存储器互连标准（IMIS，IntimateMemoryInterconnectStandard）最近宣布其用于3-D堆栈存储器芯片的官方标准。　　该联盟的发起成员TezzaronSemiconductorCorp.(Naperville,Ill.)和Ziptronix,Inc.(Morrisville,N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片，预期将在200...[详细]
Tensilica通用控制CPU在创达特VDSL2中应用

　　Tensilica与创达特公司今日共同宣布双方签署了第二轮Diamond 212GP通用控制CPU内核授权协议。此前创达特公司应用Diamond 212GP内核成功地进行了一款VDSL2 SOC的设计。Diamond 212GP是支持single-MAC DSP功能、面积紧凑、低功耗、IO接口丰富、内存子系统灵活、可综合的32位高性能通用控制CPU内核。　　创达特科技公司CEO谭耀龙表示...[详细]
未来发展新动力：光伏太阳能汽车是希望

　　画面是我们在“31号停车场”上铺设的SolarMagic赛车道。车道上停放的两辆高尔夫球车都在车顶安装设了先进的光伏太阳能电池板。停在左方的黄色赛车采用传统的太阳能技术，而停在右方的蓝色赛车采用美国国家半导体公司的SolarMagic技术。车道上搭建了几个拱门架，在架下有太阳投射的阴影。两条车道完全相同，拱门架下格子图案的阴影也相同。　　当高尔夫球车进入车道时，我们看到车上的电池板慢慢进...[详细]
Sun与三星合作开发高性能服务器闪存芯片

　　据国外媒体报道，三星公司已与Sun微系统公司开展合作，双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。　　两家公司宣称，与现行标准的SLC闪存芯片相比，新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外，新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。　　三星与Sun看好这项新闪存技术被用于不间断工作的关键任务型计算环境。这类关键任务包括视...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多