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1N4120LEADFREE

产品描述Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小342KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4120LEADFREE概述

Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N4120LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压30 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差5%
工作测试电流0.25 mA
Base Number Matches1

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1N4099 THRU 1N4135
SILICON ZENER DIODE
LOW NOISE
6.8 VOLT THRU 100 VOLT
250mW, 5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4099 series
silicon Zener diode is designed for low leakage, low
current, and low noise applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
250
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.1V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4099
1N4100
1N4101
1N4102
1N4103
1N4104
1N4105
1N4106
1N4107
1N4108
1N4109
1N4110
1N4111
1N4112
1N4113
1N4114
1N4115
1N4116
1N4117
1N4118
1N4119
1N4120
1N4121
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
NOM
V
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
MAX
V
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
TEST
CURRENT
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR
μA
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
@
VR
V
5.2
5.7
6.3
6.7
7.0
7.6
8.5
9.2
9.9
10.7
11.4
12.2
13.0
13.7
14.5
15.2
16.8
18.3
19.0
20.5
21.3
22.8
25.1
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
mA
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ 250μA
μV/ Hz
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
TYPE
R1 (4-February 2014)
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