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1N5406GP-BP-HF

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小445KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N5406GP-BP-HF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

1N5406GP-BP-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5400GP
THRU
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
High Current Capability and Low Current Leakage
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W
Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
D
1N5400GP
1N5401GP
1N5402GP
1N5404GP
1N5406GP
1N5407GP
1N5408GP
1N5400GP
1N5401GP
1N5402GP
1N5404GP
1N5406GP
1N5407GP
1N5408GP
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
3.0A
200A
T
A
= 105°C
8.3ms, half sine
C
DIMENSIONS
V
F
1.1V
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
I
R
5.0µA
50µA
40pF
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
.287
.189
.048
1.000
MAX
.374
.208
.052
---
MM
MIN
7.30
4.80
1.20
25.40
MAX
9.50
5.30
1.30
---
NOTE
C
J
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: B
www.mccsemi.com
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