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1N5402GHB0

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小194KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N5402GHB0概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

1N5402GHB0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5400G thru 1N5408G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- High current capability, Low VF
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss, high efficiency
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
1.2 g (approximately)
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@3A
Maximum reverse current @ rated VR
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θjC
R
θjA
T
J
T
STG
1.1
5
100
25
15
45
- 55 to +150
- 55 to +150
O
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
400
280
400
3
125
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
5400G 5401G 5402G 5404G 5406G 5407G 5408G
UNIT
V
V
V
A
A
1.0
V
μA
pF
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1405021
Version: H14
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